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高密度3D集成硅電容器

日期:2015年11月5日 09:40

  兩年后推出的被動Integated連體基板(PICS)項目(由歐盟第七框架計劃資助儀器致力于研究針對中小企業的利益提供資金),三個歐洲的中小企業,IPDiA,Picosun總部和SENTECH儀器以及CEA-LETI和Fraunhofer IPMS的-CNT宣布這一計劃期間所取得的重大技術成果。起步于2013年9月,太平洋島國項目重點是開發沉積通過原子層沉積(ALD)和相關的工具(ALD批處理工具和蝕刻工具)創新的介電材料,使大量生產高密度和高電壓的新技術3D溝槽式電容器目標,如醫療或航空高端市場。

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  電容器是每個電子模塊中提供的關鍵組件。由中小企業IPDiA提供了集成的硅電容技術優于在穩定現有技術(使用陶瓷電容或鉭基板)的溫度,電壓,耐老化性和可靠性,使構建高度集成和高性能的電子模塊。

  該財團的三大技術成果主要有:1)提出了一種ALD批處理工具是由Picosun總部和Fraunhofer IPMS-CNT開發。它能夠降低成本的所有權和高K電介質提供更好的均勻性和臺階覆蓋到三維結構。憑借其論證,優化,經過生產驗證的ALD工藝,是Picosun公司鞏固其在集成電路,半導體,MEMS市場的技術領先者,從研發到生產系統中的位置。

  2)用于精確地蝕刻高K電介質,這是非常具體的材料的新方法,所表明的SENTECH與弗勞恩霍夫IPMS-CNT的幫助。其結果是,SENTECH具有獲得在高k材料,其具有針對不同的應用,例如,高的興趣領域的市場份額的電位LED,微機電系統,磁數據存儲。

  3)兩個新介質疊層被開發并集成到IPDiA 3D溝槽電容器用IPDiA,CEA-LETI和Fraunhofer IPMS-CNT。最初的規格得到滿足和電氣測量證明。在得到電容密度(> 500nF /平方毫米,在3.3V)和擴展工作電壓(10V帶150nF /平方毫米)的新紀錄,它擴展IPDiA的,以滿足特別是在醫療和航空領域目前的市場需求的能力。資格認證過程,在項目實施期間發起開展前期的可靠性研究,并會繼續在未來數月。

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  在這些研發成果之上,PICS的另一主要目的是在這一新的集成電容技術的產業化。由于建立了合作伙伴關系,可制造性和財務存活率是確保通過開發針對大規模生產足夠的工業工具。太平洋島國的項目是所有三個中小企業成功和由歐盟資助儀“研究中小企業的利益”所帶來的好處一個很好的例子。中小型企業能夠把自己的研究的一部分從RTD表演創新的知識和尖端的技術工藝得到。該項目建成回答中小企業的具體需要和共同的目標是在各地設立新的IPDiA電容器技術要求及其商業開發的特定工具(ALD批處理工具和蝕刻)。

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